7-я Всероссийская конференция

Нитриды галлия, индия и алюминия:
структуры и приборы

Список приглашенных докладов

• L.Chernyak, University of Central Florida
  «Studies of the effects of electron injection in III-nitride semiconductors»
• А.Ф. Цацульников, ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
  «Мост через «зеленую долину». По пути к RGB источникам белого света»
• Р.А.Талалаев, STR Group
  «Моделирование в технологии полупроводников: от объемного роста до приборных характеристик»
• Н.П.Сощин, ФГУП «Платан»
  «Современные фотолюминофоры для эффективных приборов твердотельного освещения »
• А.Я. Поляков, «Гиредмет»
  «Эффективность вхождения компонентов твёрдых растворов, примесей и образование дефектов при выращивании слоёв и структур нитридов III группы в направлениях, отличных от [0001]»
• Ф.И.Маняхин, МИСИС
  «Проблемы деградации, надежности и стабильности параметров светодиодов как источников освещения»
• В.В.Лундин, ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
  «Контроль поверхностных процессов в оптимизации роста III-N материалов»
• В.Н. Жмерик, ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
  «AlGaN гетероструктуры для оптоэлектроники глубокого ультрафиолетового диапазона, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией»
• Е.В.Долин, НТЦ Уникального Приборостроения РАН
  «Проблемы восприятия светодиодного освещения человеческим зрением и создание стандартов и норм для светодиодного освещения»
• В.Ю.Давыдов, ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
  «Динамика кристаллической решетки сверхрешеток GaN/AlN и GaN/AlGaN: теория и эксперимент»