В июне (18-20) 2008 г. в Санкт-Петербурге, в Физико-Техническом Институте им. А.Ф.Иоффе РАН, состоялась 6-ая Всероссийская Конференция "Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы". Конференция была организована Физико-техническим институтом им. А.Ф.Иоффе РАН при участии Санкт-Петербургского Физико-Технологического Научно-Образовательного Центра РАН, Физического факультета МГУ им. М.В.Ломоносова и НТА «Интеллект».
Конференция была проведена при финансовой поддержке:
Государственной корпорации «Российская Корпорация Нанотехнологий», Российского Фонда Фундаментальных Исследований, Aixtron AG, Veeco Instruments Inc., группы компаний «Нитридные кристаллы», TDI Inc. (Oxford Instruments), CREE Inc., ПРОСОФТ, ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника», ЗАО «Научное и технологическое оборудование».
В Конференции приняли участие более 250 человек, в том числе 22 из-за рубежа, представлявших 81 организацию, в том числе 25 зарубежных. Было представлено 115 докладов, из них 55 устных и 60 стендовых. Из 115 докладов 36 были представлены молодыми авторами (до 35 лет).
Конференция продолжает традицию конференций и совещаний проводимых поочередно в Москве и Санкт-Петербурге с 1997 года. За этот период исследования, разработки и промышленное освоение полупроводниковых структур и приборов на основе нитрида галлия и его твердых растворов в России существенно продвинулись. Несколькими Российскими организациями приобретено современное специализированное оборудование как для роста III-N соединений так и для постростовой обработки структур и производства приборов.
Активно ведутся работы по технологии выращивания полупроводниковых нитридов, созданию гетероструктур и p-n-переходов, по исследованию физических свойств материалов и приборов. Разработаны и выпускаются отечественными фирмами эффективные светодиоды голубого, зеленого и белого свечения на основе как импортных так и отечественных нитридных структур. Нашли широкое применение светодиодные дорожные светофоры. Светодиоды используются для подсветки архитектурных зданий и сооружений. Продолжаются разработки мощных высокочастотных полевых транзисторов на основе гетероструктур нитридов галлия и алюминия для применений в антеннах и радиолокации. Предприятие «Монокристалл» стало одним из ведущих поставщиков сапфировых подложек на мировом уровне. Успешно развивается отечественное производство высокочистого аммиака и МО соединений.
Приборы на основе нитридов создают основу новой технической революции в оптоэлектронике, электротехнике, технике записи информации. В особенности важна перспектива революции в светотехнике, связанной с заменой ламп накаливания и люминесцентных ламп светодиодными излучателями на основе нитрида галлия (так называемое «твердотельное освещение»).
Однако, темпы развития работ по полупроводниковым нитридам в России явно недостаточны. Получившие государственную поддержку программы создания твердотельных осветительных приборов слишком узки для решения задачи в целом и не используют научную базу и большой задел исследовательских организаций РАН.
Конференция считает, что в России необходимо существенное расширение государственной программы по созданию систем твердотельного освещения, с обязательным включением в эту программу институтов РАН.
Необходимо дальнейшее приобретение импортного оборудования для разработок промышленной технологии создания приборов нового поколения, выращивания кристаллов и пленок различными методами; легирования структур, выращивания сверхтонких слоев GaN, AlGaN, InGaN. Целью должно быть развитие массового конкурентоспособного промышленного производства приборов на основе соединений III-N и изделий из них на основе отечественных материалов и технологий.
Необходимо объединение усилий различных групп российских ученых и ученых из стран СНГ (Беларусь, Украина) в рамках национальных, региональных и целевых программ.
КОНФЕРЕНЦИЯ СЧИТАЕТ НУЖНЫМ
Обратиться в Правительство РФ, в Научный Совет при Президенте РФ, в Министерство образования и науки РФ, в Президиум РАН, в РФФИ в ГК «Российская Корпорация Нанотехнологий» с предложением создать национальную программу исследований и разработок, с широким привлечением академических, образовательных и промышленных организаций, нацеленную на создание в России массового производства светодиодов, инжекционных лазеров, транзисторов нового поколения, на организацию массового и экономически оправданного производства светотехнической, электронной аппаратуры на основе нитридных приборов. Целью программы должно быть создание инфраструктуры для создания новых систем освещения, призванных заменить в ближайшие два десятилетия лампы накаливания и люминесцентные лампы. Выделить для этой программы бюджетные и внебюджетные средства (с учетом необходимости приобретения оборудования).
Организовать в январе-феврале 2010 г. в Москве 7-ю Всероссийскую Конференцию по полупроводниковым соединениям - нитридам III группы. Пригласить на него представителей Российских и зарубежных промышленных и финансовых фирм.
Конференция обращается с просьбой к руководству ФТИ им. А.Ф.Иоффе и МГУ им. М.В.Ломоносова направить настоящее решение в Правительство РФ. Оргкомитету направить это решение заинтересованным организациям.
Председатель Оргкомитета Конференции
Член-корр. РАН
профессор П.С.Копьев
Зам. Председателя Оргкомитета Конференции
профессор А.Э.Юнович