english

8-я Всероссийская конференция

Нитриды галлия, индия и алюминия:
структуры и приборы


На главную

Список зарегистрировавшихся участников конференции на 13 мая:

А.В. Градобоев Юргинский технологический институт Национального исследовательского Томского политехнического университета
А.В. Пашук ЦНИИ "Электрон"
М.Р. Айнбунд ЦНИИ "Электрон"
Р.Н. Кютт ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН
Ю.Г. Шретер ФТИ им.А.Ф.Иоффе РАН
А.М. Мизеров ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН
П.А. Асеев ФТИ им.А.Ф. Иоффе РАН
А.С. Павлюченко ФТИ им. Иоффе РАН
М.М. Мездрогина ФТИ им. Иоффе
М.Г. Мынбаева ФТИ им. А.Ф.Иоффе, РАН
Г.В. Бенеманская ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
Д.В. Нечаев ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
П.А. Асеев ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
С.Н. Родин ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
Ш.Ш. Шарофидинов ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН
Д.А. Закгейм ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Е.Е. Заварин ФТИ им. А.Ф.Иоффе
Н.М. Шмидт ФТИ им. А.Ф.Иоффе
А.Е. Николаев ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
И.П. Смирнова ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Н.И. Бочкарева ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
А.Н. Смирнов ФТИ им. А.Ф. Иоффе
А.Ф. Цацульников ФТИ им. А.Ф. Иоффе
В.Ю. Давыдов ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Е.И. Шабунина ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Т.А. Комиссарова ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Я.В. Кузнецова ФТИ им. А.Ф. Иоффе
В.В. Ратников ФТИ им А Ф Иоффе
А.А. Грешнов ФТИ
П.Ю. Боков физический факультет МГУ
Н.А. Козловская Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН
Н.А. Козловская Физический Институт Академии Наук им. П.Н. Лебедева
В.И. Николаев Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
В.Н. Жмерик Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе
В.А. Солтамов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
П.Г. Баранов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
И.Н. Завестовская ФИАН им. П.Н.Лебедева
В.Н. Данилин ФГУП НПП"ПУЛЬСАР"
О.А. Рогачков ФГУП «РФЯЦ-ВНИИТФ им. академ. Е.И.Забабахина»
А.А. Найдин ФГУП "РФЯЦ-ВНИИТФ"
Е.В. Ершов ФГУП "РФЯЦ-ВНИИТФ"
А.А. Дорофеев ФГУП "НПП"Пульсар"
Н.Б. Гладышева ФГУП "НПП "Пульсар"
И.Д. Бурлаков ФГУП "НПО "Орион"
А.В. Корулин ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"
В.М. Бойко ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"
Н.Г. Колин ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова"
С.С. Широков ФГУП "ВНИИОФИ"
С.С. Широков ФГУП "ВНИИОФИ"
Т.Б. Горшкова ФГУП "ВНИИОФИ"
Н.П. Сощин ФГУП " НИИ ПЛАТАН"
В.А. Большухин ФГУП НИИ ПЛАТАН
И.В. Мутигуллин Учреждение Российской академии наук Вычислительный центр им. А. А. Дородницына РАН
А.А. Повзнер Уральский федеральный университет
А.Ю. Бункин Уральский федеральный университет
И.А. Вайнштейн Уральский федеральный университет
С.Н. Гриняев Томский политехнический университет
В.В. Щербина Томский Государственный Университет Систем Управления и Радиоэлектроники
А.В. Войцеховский Томский государственный университет
И.А. Прудаев Томский государственный университет
В.Н. Брудный Томский государсивенный университет
С.А. Тарасов СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
В.И. Зубков СПбГЭТУ
О.В. Кучерова СПбГЭТУ
А.И. Цюк СПбГПУ
В.В. Вороненков СПбГПУ
В.Г. Сидоров СПбГПУ
Ю.А. Шафир СПбГПУ
А.А. Падалица Сигм плюс
Н.А. Волков Сигм плюс
П.В. Булаев Сигм плюс
В.Е. Кудряшов РОСНАНО
А.В. Панкрашкин ООО Макро Групп
А.. Лобанова ООО "Софт-Импакт"
А.С. Сегаль ООО "Софт-Импакт"
Е.В. Яковлев ООО "Софт-Импакт"
К.А. Булашевич ООО "Софт-Импакт"
С.Ю. Карпов ООО "Софт-Импакт"
А.В. Мазалов ООО "Сигм Плюс"
Ю.Н. Макаров ООО "Нитридные Кристаллы"
Р.А. Талалаев ООО "Группа СТР"
В.А. Чернов ООО НПФ ЭКСИТОН
О.Т. Гуднин ООО НПФ ЭКСИТОН
Л.М. Коган ООО "НПЦ ОЭП "ОПТЭЛ"
С.С. Хлудков Обособленное структурное подразделение ;Сибирский физико-технический институт Томского госуниверситета;
Т.Г. Югова ОАО"Гиредмет"
В.С. Солдаткин ОАО НИИПП
А.В. Желаннов ОАО "ОКБ-Планет а"
В.Г. Канаев ОАО "НИИПП"
В.С. Солдаткин ОАО "НИИПП"
Г.Ф. Карлова ОАО "НИИПП"
Д.Б. Данюк ОАО "НИИПП"
М.А. Лелеков ОАО "НИИ ПП"
Н.А. Чернов ОАО "НИИ ПП"
Н.Н. Бакин ОАО "НИИ ПП"
С.М. Гущин ОАО "НИИ ПП"
А.В. Говорков ОАО "ГИРЕДМЕТ"
Л.И. Дьяконов ОАО "Гиредмет"
Н.Б. Смирнов ОАО "ГИРЕДМЕТ"
А.В. Аладов НТЦ микроэлектроники РАН
А.Е. Черняков НТЦ микроэлектроники РАН
А.Л. Закгейм НТЦ микроэлектроники РАН
Е.В. Долин НП ПСС
А.А. Титова Новгородский Государственный Университет имени Ярослава Мудрого
В.Е. Удальцов Новгородский Государственный Университет имени Ярослава Мудрого
А.С. Гусев НИЯУ МИФИ
К.С. Кравчук НИТУ МИСиС
В.И. Осинский НИИ Микроприборов НАН Украины
Н.Н. Ляхова НИИ Микроприборов НАН Украины
П.В. Деминский НИИ Микроприборов НАН Украины
С.О. Усов Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН
Э.М. Гутцайт МЭИ
В.С. Пашков МЦ РОСНАНО
В.И. Егоркин МИЭТ
И.И. Бобринецкий МИЭТ
К.А. Царик МИЭТ
Е.Н. Вигдорович МГУПИ
И.В. Рыжиков МГУПИ
А.В. Чуяс МГУ им. М.В.Ломоносова, физический факультет
А.Э. Юнович МГУ им. М.В.Ломоносова, физический факультет
Е.А. Дворников МГУ им. М.В.Ломоносова, физический факультет
М.В. Чукичев МГУ им. М.В.Ломоносова, физический факультет
П.В. Иванников МГУ им. М.В.Ломоносова, физический факультет
А.Н. Туркин МГУ им. М.В.Ломоносова
И.В. Масол Компания "Росток"
А.Н. Поляков Калужский государственный университет им К.Э. Циолковского
К.С. Журавлев ИФП им. А.В.Ржанова СО РАН
А.С. Терехов ИФП СОРАН
О.И. Хрыкин ИФМ РАН
В.Н. Абросимова ИПТМ РАН
Е.А. Полушкин ИПТМ РАН
Е.Б. Якимов ИПТМ РАН
П.С. Вергелес ИПТМ РАН
С.Ю. Шаповал ИПТМ РАН
Ю.В. Холопова ИПТМ РАН
А.В. Осипов ИПМАШ РАН
С.А. Кукушкин ИПМАШ РАН
Б.К. Лубсандоржиев Институт ядерных исследований РАН
В.П. Брыкса Институт физики полупроводников имени В. Е. Лашкарева НАН Украины
Е.А. Авраменко Институт физики полупроводников имени В. Е. Лашкарева НАН Украины
К.В. Андриан Институт физики полупроводников имени В. Е. Лашкарева НАН Украины
В.П. Кладько Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины
Н.В. Сафрюк Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева
Р.В. Конакова Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарьова
А.В. Саченко Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
И.А. Александров Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
С.В. Никоненко Институт физики имени Б.И.Степанова Национальной академии наук Беларуси
Е.В. Луценко Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси
В.З. Зубелевич Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси
А.Ю. Павлов Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН
Д.Л. Гнатюк Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН
Ю.В. Федоров Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН
В.В. Савранский Институт общей физики РАН
А.Н. Дерябин ИК РАН
А.В. Феопентов ЗАО Светлана-Оптоэлектроника
Д.А. Николаев ЗАО Светлана-Оптоэлектроника
Е.П. Янович ЗАО Светлана-Оптоэлектроника
И.Н. Ивукин ЗАО Оптоган
Б.С. Явич ЗАО "ЭПИЦЕНТР"
А.А. Арендаренко ЗАО "Элма-Малахит"-ДО ОАО "Концерн Энергомера"
И.Н. Цыпленков ЗАО "Элма-Малахит"-ДО ОАО "Концерн Энергомера"
Ю.Н. Свешников ЗАО "Элма-Малахит"-ДО ОАО "Концерн Энергомера"
Д.М. Красовицкий ЗАО "Светлана-Рост"
Н.А. Андрианов ЗАО "Светлана-Рост"
Д.А. Бауман ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника"
А.Е. Романов ЗАО "Оптоган"
А.Р. Ковш ЗАО "Оптоган"
С.С. Суслов ЗАО "Оптоган"
С.И. Петров Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование"
Ш.М. Рамазанов Дагестанский государственный университет
Б.А. Билалов Дагестанский государственный Технический университет
Г.Д. Кардашова Дагестанский государственный технический университет
С.Ю. Курин Группа компаний Нитридные кристаллы
Т.Ю. Чемекова Группа компаний Нитридные кристаллы
А.С. Дюжаева Группа компаний "Нитридные кристаллы"
В.Ю. Садкова Группа компаний "Нитридные кристаллы"
Б.М. Синельников ГОУ ВПО "Северо-Кавказский государственный технический университет"
С.Д. Раекски Госуниверситет Молдовы
В.И. Цвирко Государственное предприятие "ЦСОТ НАН Беларуси"
И.И. Парфенова Горный Институт
А.И. Стогний ГНПО НПЦ НАНБ по материаловедению
В.В. Красовский БНТУ г.Минск, Беларусь
В.В. Кидалов Бердянский государственный университет
Я.А. Сычикова Бердянский государственный университет
М.М. Рожавская Академический Университет РАН
С.А. Никишин Texas Tech University
М.С. Шаталов Sensor Electronic Technology, Inc.
C.. Tran Semileds
Е.Т. Алиев Semileds
А.Л. Архипов OOO"Л.И.С.Т."
H.I. Helava Nitride Crystals Inc., USA
O.. Schulz LayTec AG
R.B. Jabbarov Institute of Physics, National Academy of Sciences of Azerbaijan
А.М. Андрухив GT Solar
С.Г. Никифоров "ЛИСТ-Лаборатория Исследований Световых Технологий

На 13 мая зарегистрировано    195 участников

На главную