8-я Всероссийская конференция

Нитриды галлия, индия и алюминия:
структуры и приборы

Физико-Технический Институт имени А.Ф.Иоффе РАН,
Физический факультет МГУ имени М.В.Ломоносова,
Российская Академия Наук
"СТО Групп"


Санкт-Петербург
26 - 28 мая 2011 г.

СРОКИ И ФОРМАТ КОНФЕРЕНЦИИ:

26-28 мая 2011 года в Санкт-Петербурге, в Физико-Техническом Институте им. А.Ф.Иоффе РАН, состоится 8-я Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы». Предыдущие конференции этой серии проходили в 2001-10 гг. попеременно в Москве и Санкт-Петербурге. Им предшествовали четыре рабочих совещания (1997-2000).

Совещания и Конференции демонстрировали постоянно возрастающую активность в области III-N в России, и в Конференции 2010г. приняли участие более 200 человек, представлявших более чем 100 организаций. Было сделано 110 докладов, из них 48 устных.

Спонсорами Конференции 2010г. были РФФИ, ГК «Российская Корпорация Нанотехнологий», ОАО «Российская Электроника», группа компаний «Нитридные кристаллы», Aixtron AG, Veeco Instruments Inc., LayTec GmbH, TDI Inc.- Oxford Instruments, ЗАО «Эпицентр», ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника», ФГУП ГЗ «Пульсар», ЗАО «Научное и технологическое оборудование», компания «GaGroup».

Конференция будет проходить в форме устных и стендовых сессий. Официальный язык Конференции – русский. Доклады от зарубежных участников могут быть сделаны на английском языке. На Конференции будет организована выставка промышленных компаний.

ТЕМАТИКА КОНФЕРЕНЦИИ:

1. Технология материалов: рост объемных кристаллов и подложки для эпитаксиального роста.

2. Технология материалов: эпитаксиальные методы роста.

3. Оптические, электрические, магнитные и другие свойства материалов.

4. Квантово-размерные структуры на основе нитридов.

5. Постростовые технологии обработки нитридных материалов.

6. Электронные, фотоэлектрические и другие приборы на основе нитридов.

7. Светодиоды и лазеры на основе нитридов.

8. Специальная сессия "Энергосберегающее освещение на основе полупроводниковых технологий".

ВАЖНАЯ ИНФОРМАЦИЯ И ДАТЫ:

Предварительная регистрация:

Форма и правила заполнения приведены на сайте конференции, срок регистрации – до 14 марта 2011 г.

При регистрации после 14 Марта обеспечение конференционными комплектами не гарантируется.

Тезисы докладов:

Объем тезисов доклада - 2 страницы (для приглашенных докладов - 4 страницы).

Правила форматирования и образцы размещены на сайте конференции.

Срок представления тезисов – до 4 апреля 2011 г.

Организационный взнос

Размер оргвзноса - 2000 руб.

Круглый Стол:

В рамках Конференции, по завершению сессии «Энергосберегающее освещение на основе полупроводниковых технологий», планируется проведение «Круглого Стола» «Производство полупроводниковых систем освещения в России – объявленные ранее планы и реальное состояние». Несмотря на несомненный прогресс, качественных изменений в отрасли за последние 10 лет не произошло. Планируется обсуждение текущей ситуации и проблем, мешающих достижению реальных результатов. К участию в «Круглом Столе» приглашаются представители финансирующих организаций, промышленности и прикладной науки.

Финансовая поддержка участников:

Оргкомитет обратился в РФФИ и к возможным спонсорам («Роснано», «Росэлектроника», AIXTRON, VEECO, LayTec, «Светлана - Оптоэлектроника», «Научное и технологическое оборудование»).

Российские участники получат финансовую поддержку в зависимости от выделенных средств и сроков предварительной регистрации.