Нитриды галлия, индия и алюминия:
структуры и приборы

Конкурс докладов молодых участников

Благодаря поддержке конференции со стороны ОАО «Роснано» у оргкомитета появилась возможность материального наполнения премии за лучший доклад, представленный авторами до 35 лет. Победители были определены голосованием членов Организационного и Программного комитетов конференции. Помимо научной ценности результатов, особое внимание уделялось представлению доклада.

Список победителей конкурса:

1. В.В. Вороненков
   Механические напряжения в пленках GаN выращенных на подложках с маской

2. М.М. Рожавская
   Особенности селективной эпитаксии GaN в полосковых окнах

3. В.С. Солдаткин
   Светодиоды для поверхностного монтажа

4. Д.В. Нечаев
   Применение метода дифракции отраженных быстрых электронов для контроля релаксации упругих напряжений при росте гетероструктур на основе соединений А3N методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Председатель Оргкомитета член-корр. РАН П.С.Копьев вручает диплом победителю конкурса.

На главную